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氮化硅（SiC）作為半導體材料，具有極高的熱導率，在電子飽和速率、抗輻射能力上也有較強的表現(xiàn)，易散熱、小體積、低能耗、高功率等明顯優(yōu)勢。

新能源汽車通過氮化硅（SiC）能夠有效的加速性能與動力系統(tǒng)輸出最大功率，提升加速度；新能源汽車領域重要的是續(xù)航里程和充電時間，為了提高電壓能在同樣的電阻下減少電耗損失，提升效率，增加續(xù)航里程，通過氮化硅（SiC）器件能夠提升導通/開關兩個維度降低損耗；氮化硅（SiC）材料能夠實現(xiàn)高頻開關，減少濾波器和無源器件，從而減少電池容量，有助于車輛輕量化。

氮化硅陶瓷襯板又稱陶瓷電路板，在陶瓷基片上通過覆銅技術形成基板，再通過激光鉆孔、圖形刻蝕等工藝制造成陶瓷電路板。目前已經(jīng)逐漸成為車企優(yōu)異導熱和抗彎性能對SiC芯片封裝的最佳材料。

氮化硅陶瓷銅基板通過蝕刻加工能夠保障產(chǎn)品性能優(yōu)勢、表面細膩平滑、無毛刺。通過蝕刻工藝能夠實現(xiàn)對陶瓷銅基板的焊層蝕刻。蝕刻陶瓷銅基板在高溫下的服役可靠性更強，這也是逐漸成為汽企青睞的首選。